2023-03-14 19:34:50
每經(jīng)AI快訊，日前，西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標志著該校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。行業(yè)分析人士表示，氧化鎵是第四代半導體材料，在市場對性能好、損耗低、功率密度高的功率器件需求不斷釋放背景下，氧化鎵市場發(fā)展?jié)摿薮蟆＃〝?shù)據(jù)寶）
特別提醒：如果我們使用了您的圖片，請作者與本站聯(lián)系索取稿酬。如您不希望作品出現(xiàn)在本站，可聯(lián)系我們要求撤下您的作品。
歡迎關(guān)注每日經(jīng)濟新聞APP
Copyright ? 2026 每日經(jīng)濟新聞報社版權(quán)所有，未經(jīng)許可不得轉(zhuǎn)載使用，違者必究。
廣告熱線? 北京: 010-57613265，?上海: 021-61283008，?廣州: 020-84201861，?深圳: 0755-83520159，?成都: 028-86512112
